Организация JEDEC, которая берет ответственность за принятие правил в сфере работы полупроводниковой памяти и SSD, разместил на официальном сайте перечень ключевых свойств памяти нового поколения — Double Data Rate 4 (DDR4). По информации от разработчиков, финальные характеристики DDR4 будут размещены в середине 2012 года, а принятие нового стандарта состоится до конца следующего года. Годом ранее считалось, что коммерческое внедрение новой памяти состоится ко второму полугодию следующего года. Сейчас же, эксперты с этим не так давно согласились, появление нового DDR4 ожидается к 2013 году с приростом рыночной доли до 12 процентов в 2014 году.
Новейшая память должна стать гораздо менее прожорливой и более качественной. Во-первых, напряжение питания уменьшено до 1,2 В и в дальнейшем остаётся небольшой запас для его ещё большего снижения. Во-вторых, вводится новая архитектура классовых банков со свободными сигнальными линиями, что позволяет любой группе банков функционировать в индивидуальном режиме, включая режимы регенерации. Практически — это дает возможность задействовать только те ячейки памяти, которые нужны для сохранения текущего объёма сведений, а пустующие блоки информации попросту «выключать». Подобный способ, как несложно догадаться, будет способствовать росту эффективности работы системы памяти.
Минимальная скорость приема и передачи информации в пересчёте на каждую линию связи составит 1,6 ГБ/с. В дальнейшем ожидается рост скорости передачи до 3,2 ГБ/с. Напомним, что изначально пропускная способность линии связи памяти DDR3 была построена на уровне 1,6 ГБ/с, но на деле производители сумели увеличить этот уровень, так что DDR4 в этом плане тоже будет расти.
Ещё одним заметным улучшением последнего поколения памяти станет внедрение в технологию функционирования DDR4 схемотехнических инструментов для графической памяти. В частности, DDR4 приобретет технологию Pseudo Open Drain (POD). Данная технология, например, позволяет уменьшить потребление в режимах загрузки и записи. Также улучшиться контроль за ошибками передачи и приема по шине данных, что даже для памяти без блока ECC отчетливо увеличит безопасность операций загрузки и записи. Поменяется схема терминации. Появится скрытность информации и ряд других новинок.